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半導體光學產(chǎn)品

多通道

技術規(guī)格
Photolithography capabilities（光刻能力） 內(nèi)容
Equipment Model（設備型號） i-Line 365nm, contact lithography for double-sided alignment
i-Line 365nm，接觸式光刻，可實現(xiàn)雙面對準
Wafer size（晶圓尺寸） 6" Round, 6" Square, 8" Round
6” 圓、6” 方、8” 圓
Resolution（最小分辨率） 4um @line/space
Alignment accuracy (TSA)（套刻精度（TSA）） ≤1μm
Alignment accuracy (BSA)（套刻精度（BSA）） ≤1.5μm
Product Size（產(chǎn)品尺寸） 內(nèi)容
Material（材料） Optical glass, silicon wafers, sapphire, etc.
光學玻璃、硅片、藍寶石等
Microstructure size（微結構尺寸） Min 5μm @line space
Dimensional accuracy（尺寸精度） ±2 um @ 8inch wafer
Dimensional Uniformity（尺寸均勻性） ≤5%
Optical performance（分光特性） 內(nèi)容
Optical coating 540/575/615/660/710nm，F(xiàn)WHM ≦40nm，Tmax>60%